簡要描述：濺射鍍膜是在真空條件下，利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子在基片上沉積的技術。濺射鍍膜具有膜層和基體的附著力強，膜層均勻性好等優點，適合各種金屬、氧化物、半導體薄膜的制備，廣泛應用于光伏、LED、微電子、硬質薄膜等領域。
656nm磁控濺射鍍膜超窄帶濾光片

656nm磁控濺射鍍膜超窄帶濾光片

濺射鍍膜是在真空條件下，利用荷能粒子轟擊靶表面，使被轟擊出的粒子在基片上沉積的技術。濺射鍍膜具有膜層和基體的附著力強，膜層均勻性好等優點，適合各種金屬、氧化物、半導體薄膜的制備，廣泛應用于光伏、LED、微電子、硬質薄膜等領域。

一般情況下，絕大多數超窄帶濾光片，帶寬＜2nm成品率較低，價格也較高，2-5nm的帶寬為絕大多數超窄帶濾光片工業用戶的批量采購選擇。

超窄帶濾光片其主要參數有：中心波長、半高寬（帶寬）、峰值透過率、截止范圍、截止深度（OD值）

中心波長：一般就是儀器或設備的工作波長，它是指通帶中心位置的波長。

半高寬（帶寬）：帶寬是指通帶中透過率為峰值透過率的一半的兩個位置之間的距離，有時也叫半高寬（不叫半帶寬），英文字母經常用FWHM（Full Width at Half Maximum）表示。

峰值透過率：指帶通濾光片在通帶中zui高的透過率大小。

截止范圍：截止范圍是指除了通帶以外，要求截止的波長范圍。對于窄帶來說，有一段是前截止，就是截止波長小于中心波長的一段，還有一段長截止，截止波長高于中心波長的那一段。

截止深度（OD值）：截止深度是指截止帶中允許能透過光的大透過率大小。對不同的應用系統對截止深度要求不同，比如對于使用在激發光熒光的場合，一般要求截止深度在T<0.001%以下，在普通的監控識別系統中，截止深度T<0.5%有時已經足夠。為簡便起見，經常用OD值來表示截止深度。OD=-lgT

用途：機器視覺、生化分析、光學儀器、光譜測量等領域

類型：一般瑞研光學可做200nm-2000nm以內的任意個波長，透過率大于70%以上，如果是磁控濺射鍍膜，透過率大于90%；

截止深度有OD4-OD6；大于OD6成品率較低，可提供小批量定制服務

中心波長656nm

中心波長偏差：±1nm

帶寬2nm；3nm；4nm；5nm

直徑12.7mm，12.5mm，25mm，30mm等

厚度1mm；2mm；2.5mm

外環封裝厚度3.5mm，5mm，6mm

透過率大于80%；大于90%

截止范圍200-800nm；200-1000nm；200-1200nm

截止深度大于OD4；大于OD5；＞OD6

典型超窄帶光譜曲線